מספר מוצר של יצרן:
IXFV12N120P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFV12N120P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 543W (Tc) Through Hole PLUS220
מלאי:
12821009
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFV12N120P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™, PolarP2™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.35Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
103 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
543W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PLUS220
חבילה / מארז
TO-220-3, Short Tab
מספר מוצר בסיסי
IXFV12
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
APT13F120B
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
30
DiGi מספר חלק
APT13F120B-DG
מחיר ליחידה
7.92
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTY1N100P
MOSFET N-CH 1000V 1A TO252
IXFD15N100-8X
MOSFET N-CH
IXTP90N075T2
MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
