מספר מוצר של יצרן:
IXFT80N10Q
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFT80N10Q-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 80A TO268
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
מלאי:
12820489
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFT80N10Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
180 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
360W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-268AA
חבילה / מארז
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
מספר מוצר בסיסי
IXFT80
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTT110N10L2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
5
DiGi מספר חלק
IXTT110N10L2-DG
מחיר ליחידה
13.28
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTK62N25
MOSFET N-CH 250V 62A TO264
IXTH12N150
MOSFET N-CH 1500V 12A TO247
IXTP2N80P
MOSFET N-CH 800V 2A TO220AB
