מספר מוצר של יצרן:
IXFT50N50P3
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFT50N50P3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 50A TO268
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 50A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268AA
מלאי:
20 יחידות חדשות מק originales במלאי
12821802
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFT50N50P3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar3™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
120mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
85 nC @ 0 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4335 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
960W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-268AA
חבילה / מארז
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
מספר מוצר בסיסי
IXFT50
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
-IXFT50N50P3
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTP05N100
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB
IXFH13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD
IXTY1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO252