מספר מוצר של יצרן:
IXFT170N25X3HV
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFT170N25X3HV-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 170A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
מלאי:
12819004
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFT170N25X3HV מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Ultra X3
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
170A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.4mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
190 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
960W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-268HV (IXFT)
חבילה / מארז
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
מספר מוצר בסיסי
IXFT170
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MKE38P600LB-TRR
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
IXFN24N90Q
MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B
IXFN20N120
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
