מספר מוצר של יצרן:
IXFR30N110P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFR30N110P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
תיאור מפורט:
N-Channel 1100 V 16A (Tc) 320W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
מלאי:
12820019
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFR30N110P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
400mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
235 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
320W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ISOPLUS247™
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXFR30
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFT30N50Q
MOSFET N-CH 500V 30A TO268
IXTT1N100
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO268
IXTH3N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 3A TO247
