מספר מוצר של יצרן:
IXFQ80N25X3
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFQ80N25X3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 80A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 80A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
13270843
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFQ80N25X3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Ultra X3
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
83 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5430 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
390W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
IXFQ80
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
238-IXFQ80N25X3
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTA110N055T2-TRL
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
IXFA7N100P-TRL
MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
IXTA6N100D2-TRL
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263