מספר מוצר של יצרן:
IXFQ60N60X
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFQ60N60X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
12821129
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFQ60N60X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™, Ultra X
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
55mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
143 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
890W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
IXFQ60
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFA20N50P3
MOSFET N-CH 500V 20A TO263
IXFP38N30X3M
MOSFET N-CH 300V 38A TO220
IXFT30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A TO268
