IXFQ50N60X

מספר מוצר של יצרן:

IXFQ50N60X

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXFQ50N60X-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 50A TO3P

תיאור מפורט:

N-Channel 600 V 50A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-3P

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12820568

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IXFQ50N60X מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Littelfuse

אריזות

Tube

סדרה

HiPerFET™, Ultra X

סטטוס המוצר

Last Time Buy

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

600 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

50A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

73mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 4mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

116 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

4660 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

660W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-3P

חבילה / מארז

TO-3P-3, SC-65-3

מספר מוצר בסיסי

IXFQ50

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IXF(H,Q,T)50N60X

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

littelfuse

IXFX24N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3

littelfuse

IXFK120N30T

MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA

littelfuse

IXTT74N20P

MOSFET N-CH 200V 74A TO268

littelfuse

IXFR40N90P

MOSFET N-CH 900V 21A ISOPLUS247