IXFP16N50P
מספר מוצר של יצרן:

IXFP16N50P

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXFP16N50P-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3

מלאי:

126 יחידות חדשות מק originales במלאי
12913451
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IXFP16N50P מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
400mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
43 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2250 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXFP16

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
IXF(A,H,P)16N50P
גיליונות נתונים
IXFP16N50P
גיליון נתונים של HTML
IXFP16N50P-DG

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

IRFPS37N50A

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247

vishay-siliconix

SI1471DH-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6

vishay-siliconix

SI7157DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7196DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8