מספר מוצר של יצרן:
IXFP130N10T
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFP130N10T-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12818928
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFP130N10T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Trench
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
130A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
104 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5080 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
360W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXFP130
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SUP70090E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
370
DiGi מספר חלק
SUP70090E-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.27
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP100N08N3GXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
587
DiGi מספר חלק
IPP100N08N3GXKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.00
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SUP85N10-10-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
504
DiGi מספר חלק
SUP85N10-10-GE3-DG
מחיר ליחידה
2.88
סוג משאב
Similar
מספר חלק
DMT10H010LCT
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
43
DiGi מספר חלק
DMT10H010LCT-DG
מחיר ליחידה
0.64
סוג משאב
Similar
מספר חלק
CSD19533KCS
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
2169
DiGi מספר חלק
CSD19533KCS-DG
מחיר ליחידה
0.67
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MKE38RK600DFEL-TRR
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
IXFK100N10
MOSFET N-CH 100V 100A TO264AA
IXTX120P20T
MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3