מספר מוצר של יצרן:
IXFN56N90P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFN56N90P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 56A (Tc) 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
מלאי:
78 יחידות חדשות מק originales במלאי
12821744
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFN56N90P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
56A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
135mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6.5V @ 3mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
375 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
23000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1000W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227B
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
IXFN56
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXKP10N60C5
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
IXTP4N65X2
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
IXTA02N250
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263