מספר מוצר של יצרן:
IXFN50N120SIC
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFN50N120SIC-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
מלאי:
15 יחידות חדשות מק originales במלאי
12820664
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFN50N120SIC מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
47A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 10mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
100 nC @ 20 V
VGS (מקס')
+20V, -5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1900 pF @ 1000 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227B
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
IXFN50
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFP30N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
IXTQ110N055P
MOSFET N-CH 55V 110A TO3P
IXFH36N55Q
MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD
