מספר מוצר של יצרן:
IXFN32N80P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFN32N80P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 29A (Tc) 625W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
מלאי:
12820224
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFN32N80P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
29A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
270mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
150 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8820 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
625W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227B
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
IXFN32
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTA48P05T
MOSFET P-CH 50V 48A TO263
IXFV12N120PS
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
IXTA80N12T2
MOSFET N-CH 120V 80A TO263