מספר מוצר של יצרן:
IXFN26N120P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFN26N120P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 23A (Tc) 695W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
מלאי:
12820685
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFN26N120P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
460mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
225 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
14000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
695W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227B
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
IXFN26
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
APT10045JLL
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
4
DiGi מספר חלק
APT10045JLL-DG
מחיר ליחידה
34.42
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFN38N100P
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
IXTT88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
IXFK32N100X
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
