מספר מוצר של יצרן:
IXFN200N10P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFN200N10P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
מלאי:
37 יחידות חדשות מק originales במלאי
12821724
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFN200N10P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
200A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.5mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
235 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
680W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227B
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
IXFN200
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFC20N80P
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220
IXTA4N80P
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
IXFN180N07
MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
