מספר מוצר של יצרן:
IXFN180N10
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFN180N10-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
מלאי:
12819265
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFN180N10 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
180A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
360 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
600W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227B
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
IXFN180
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
479462
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFP14N60P3
MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
IXFK520N075T2
MOSFET N-CH 75V 520A TO264AA
IXFR120N20
MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247
