מספר מוצר של יצרן:
IXFN170N10
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFN170N10-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 170A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
מלאי:
12819843
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFN170N10 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
170A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
515 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
600W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227B
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
IXFN170
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFX21N100Q
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
IXFC60N20
MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
IXFH80N15Q
MOSFET N-CH 150V 80A TO247AD
