מספר מוצר של יצרן:
IXFN120N20
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFN120N20-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
מלאי:
12819616
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFN120N20 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
17mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
360 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
600W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227B
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
IXFN120
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
IXFN120N20-NDR
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFN210N20P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFN210N20P-DG
מחיר ליחידה
33.70
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTX600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247-3
IXTA180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO263
IXTH102N15T
MOSFET N-CH 150V 102A TO247
