מספר מוצר של יצרן:
IXFL38N100P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFL38N100P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 29A (Tc) 520W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
מלאי:
12820842
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFL38N100P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
29A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
230mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
350 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
24000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
520W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ISOPLUSi5-Pak™
חבילה / מארז
ISOPLUSi5-PAK™
מספר מוצר בסיסי
IXFL38
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
APT29F100B2
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
37
DiGi מספר חלק
APT29F100B2-DG
מחיר ליחידה
14.03
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFX210N30X3
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3
IXFN70N120SK
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
IXTY18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO252