IXFK32N80Q3
מספר מוצר של יצרן:

IXFK32N80Q3

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXFK32N80Q3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 32A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

מלאי:

446 יחידות חדשות מק originales במלאי
12915148
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IXFK32N80Q3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Q3 Class
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
32A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
270mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6.5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
140 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6940 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1000W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-264AA (IXFK)
חבילה / מארז
TO-264-3, TO-264AA
מספר מוצר בסיסי
IXFK32

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
-IXFK32N80Q3
חבילה סטנדרטית
25

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SI4470EY-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 9A 8SO

vishay-siliconix

SI7452DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4626ADY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30A 8SO

vishay-siliconix

IRFZ48S

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK