מספר מוצר של יצרן:
IXFK32N80Q3
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFK32N80Q3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 32A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
מלאי:
446 יחידות חדשות מק originales במלאי
12915148
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFK32N80Q3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Q3 Class
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
32A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
270mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6.5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
140 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6940 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1000W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-264AA (IXFK)
חבילה / מארז
TO-264-3, TO-264AA
מספר מוצר בסיסי
IXFK32
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
-IXFK32N80Q3
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4470EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
SI7452DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
SI4626ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
