מספר מוצר של יצרן:
IXFK30N110P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFK30N110P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1100V 30A TO264AA
תיאור מפורט:
N-Channel 1100 V 30A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
מלאי:
12820779
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFK30N110P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
235 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
960W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-264AA (IXFK)
חבילה / מארז
TO-264-3, TO-264AA
מספר מוצר בסיסי
IXFK30
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
APT29F100L
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
APT29F100L-DG
מחיר ליחידה
12.56
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTY1N80
MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA
IXTY4N60P
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
AUIRFR3806
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
