מספר מוצר של יצרן:
IXFK100N65X2
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFK100N65X2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 100A TO264
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 100A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264
מלאי:
22 יחידות חדשות מק originales במלאי
12820943
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFK100N65X2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Ultra X2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
30mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
180 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
11300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1040W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-264
חבילה / מארז
TO-264-3, TO-264AA
מספר מוצר בסיסי
IXFK100
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
IXFK100N65X2XINACTIVE
IXFK100N65X2X
IXFK100N65X2X-DG
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXKH20N60C5
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
IXFN48N50U3
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
IXFC16N80P
MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220
