מספר מוצר של יצרן:
IXFJ20N85X
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFJ20N85X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 850V 9.5A ISO TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 850 V 9.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole ISO TO-247-3
מלאי:
12819042
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFJ20N85X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Ultra X
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
850 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
63 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1660 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ISO TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXFJ20
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH6N90
MOSFET N-CH 900V 6A TO247AD
IXFK210N17T
MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA
IXFT74N20
MOSFET N-CH 200V 74A TO268