מספר מוצר של יצרן:
IXFH80N65X2-4
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFH80N65X2-4-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247-4L
מלאי:
12821873
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFH80N65X2-4 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Ultra X2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
38mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
140 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
890W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-4L
חבילה / מארז
TO-247-4
מספר מוצר בסיסי
IXFH80
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-IXFH80N65X2-4
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPZA60R037P7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
240
DiGi מספר חלק
IPZA60R037P7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
6.39
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STW69N65M5-4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
395
DiGi מספר חלק
STW69N65M5-4-DG
מחיר ליחידה
7.47
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFN27N80
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
IXTH7P50
MOSFET P-CH 500V 7A TO247
IXFP76N15T2
MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB
