מספר מוצר של יצרן:
IXFH80N25X3
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFH80N25X3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 80A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 80A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
מלאי:
21 יחידות חדשות מק originales במלאי
12820730
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFH80N25X3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Ultra X3
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
83 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5430 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
390W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247 (IXTH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXFH80
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
-IXFH80N25X3
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF250P224
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
323
DiGi מספר חלק
IRF250P224-DG
מחיר ליחידה
5.12
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFK78N50P3
MOSFET N-CH 500V 78A TO264AA
IXTQ64N25P
MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
IXTA36N30T
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
