מספר מוצר של יצרן:
IXFH6N100Q
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFH6N100Q-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
מלאי:
12821268
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFH6N100Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™, Q Class
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
48 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
180W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AD (IXFH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXFH6
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
478547
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFH7N100P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFH7N100P-DG
מחיר ליחידה
7.00
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFN80N50Q2
MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
IXTP2R4N50P
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO220AB
IXFK60N25Q
MOSFET N-CH 250V 60A TO264AA
