מספר מוצר של יצרן:
IXFH4N100Q
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFH4N100Q-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO247AD
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
מלאי:
12819584
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFH4N100Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™, Q Class
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
39 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1050 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AD (IXFH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXFH4
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STW5NK100Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
164
DiGi מספר חלק
STW5NK100Z-DG
מחיר ליחידה
2.01
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFN220N20X3
MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B
IXTA3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXFB70N60Q2
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
