מספר מוצר של יצרן:
IXFH22N65X2
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFH22N65X2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 22A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
מלאי:
12821361
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFH22N65X2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Ultra X2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
22A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
160mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 1.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2310 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
390W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247 (IXTH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXFH22
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SCT3120ALGC11
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
6940
DiGi מספר חלק
SCT3120ALGC11-DG
מחיר ליחידה
4.30
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STW28N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
96
DiGi מספר חלק
STW28N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.56
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHG22N60E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
498
DiGi מספר חלק
SIHG22N60E-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.88
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STW24N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
562
DiGi מספר חלק
STW24N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.39
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STW24N60DM2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
14
DiGi מספר חלק
STW24N60DM2-DG
מחיר ליחידה
2.22
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTY12N06T
MOSFET N-CH 60V 12A TO252
IXTP220N055T
MOSFET N-CH 55V 220A TO220AB
IXFB150N65X2
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
