מספר מוצר של יצרן:
IXFB30N120P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFB30N120P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
מלאי:
315 יחידות חדשות מק originales במלאי
12819596
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFB30N120P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
310 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
22500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PLUS264™
חבילה / מארז
TO-264-3, TO-264AA
מספר מוצר בסיסי
IXFB30
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTQ240N055T
MOSFET N-CH 55V 240A TO3P
IXTT75N10
MOSFET N-CH 100V 75A TO268
IXTH102N25T
MOSFET N-CH 250V 102A TO247
