מספר מוצר של יצרן:
IXFB170N30P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFB170N30P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
תיאור מפורט:
N-Channel 300 V 170A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
מלאי:
12820287
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFB170N30P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
300 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
170A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
258 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
20000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PLUS264™
חבילה / מארז
TO-264-3, TO-264AA
מספר מוצר בסיסי
IXFB170
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFX150N15
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
IXFD80N10Q-8XQ
MOSFET N-CHANNEL 100V DIE
IXTA86N20T
MOSFET N-CH 200V 86A TO263
