מספר מוצר של יצרן:
IXFA7N100P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFA7N100P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 7A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
מלאי:
264 יחידות חדשות מק originales במלאי
12819744
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFA7N100P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2590 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263AA (IXFA)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IXFA7N100
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
-IXFA7N100P
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXKP20N60C5M
MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220ABFP
IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
IXTQ50N25T
MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
