מספר מוצר של יצרן:
IXFA6N120P-TRL
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFA6N120P-TRL-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
מלאי:
800 יחידות חדשות מק originales במלאי
12819459
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFA6N120P-TRL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
92 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2830 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263AA (IXFA)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IXFA6N120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IXFA6N120PTRL-DG
IXFA6N120P TRL
IXFA6N120PTRL
Q10805674
IXFA6N120P TRL-DG
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFT94N30P3
MOSFET N-CH 300V 94A TO268
IXKN45N80C
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
IXTH72N30T
MOSFET N-CH 300V 72A TO247
