מספר מוצר של יצרן:
IXFA12N65X2-TRL
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFA12N65X2-TRL-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 12A TO263
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
13270871
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFA12N65X2-TRL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
HiPerFET™, Ultra X2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
310mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1134 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
180W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IXFA12
מידע נוסף
שמות אחרים
238-IXFA12N65X2-TRLTR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTA4N80P-TRL
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
IXTA120P065T-TRL
MOSFET P-CH 65V 120A TO263
IXTA32P05T-TRL
MOSFET P-CH 50V 32A TO263