מספר מוצר של יצרן:
FMM60-02TF
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
FMM60-02TF-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 200V 33A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
מלאי:
12820101
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FMM60-02TF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
33A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
40mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
90nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3700pF @ 25V
הספק - מקס'
125W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
i4-Pac™-5
חבילת מכשירים לספקים
ISOPLUS i4-PAC™
מספר מוצר בסיסי
FMM60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
GWM160-0055P3
MOSFET 6N-CH 55V 160A ISOPLUS
VMM300-03F
MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB
FMM75-01F
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC