מספר מוצר של יצרן:
IRFZ46ZSPBF
Product Overview
יצרן:
International Rectifier
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFZ46ZSPBF-DG
תיאור:
IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 51A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
800 יחידות חדשות מק originales במלאי
12977121
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFZ46ZSPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
51A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13.6mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
46 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1460 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
82W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRFZ46ZSPBF
חבילה סטנדרטית
422
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RJL5014DPP-E0#T2
RJL5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
2SK1958-T1-A
2SK1958-T1-A - N-CHANNEL MOS FET
2SJ635-TL-E
2SJ635 - P-CHANNEL SILICON MOSFE
