מספר מוצר של יצרן:
IRFAC50
Product Overview
יצרן:
International Rectifier
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFAC50-DG
תיאור:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 10.6A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)
מלאי:
129 יחידות חדשות מק originales במלאי
12933227
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFAC50 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.6A
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
VGS (מקס')
-
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-204AA (TO-3)
חבילה / מארז
TO-204AA, TO-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRFAC50
IRFIRFIRFAC50
חבילה סטנדרטית
41
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SK3140-02-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
CPH3445-TL-E
NCH 4V DRIVE SERIES
2SK3055(1)-AZ
N-CHANNEL POWER MOSFET
