מספר מוצר של יצרן:
IRF6620TRPBF
Product Overview
יצרן:
International Rectifier
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF6620TRPBF-DG
תיאור:
IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
מלאי:
980 יחידות חדשות מק originales במלאי
12947707
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF6620TRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
27A (Ta), 150A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.45V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4130 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DIRECTFET™ MX
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric MX
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRF6620TRPBF
INFIRFIRF6620TRPBF
חבילה סטנדרטית
439
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STP21NM50N
MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
PSMN1R9-40PL,127
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
PMCM6501VPEZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
