מספר מוצר של יצרן:
SPW07N60CFDFKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPW07N60CFDFKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 6.6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
מלאי:
12806294
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPW07N60CFDFKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
700mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 300µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
790 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-1
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SPW07N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000264430
SPW07N60CFD
SPW07N60CFD-DG
חבילה סטנדרטית
240
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP10NM60ND
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
631
DiGi מספר חלק
STP10NM60ND-DG
מחיר ליחידה
0.91
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7702TR
MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP
IRLML9303TRPBF
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
IRF3711STRL
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
