מספר מוצר של יצרן:
SPU01N60C3BKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPU01N60C3BKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 800mA (Tc) 11W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
מלאי:
12807674
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPU01N60C3BKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
800mA (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
11W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3-21
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
SPU01N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SPU01N60C3XK
2156-SPU01N60C3BKMA1-IT
SPU01N60C3IN
INFINFSPU01N60C3BKMA1
SP000012110
SPU01N60C3
SPU01N60C3X
SPU01N60C3-DG
SPU01N60C3IN-DG
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD2HNK60Z-1
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
3054
DiGi מספר חלק
STD2HNK60Z-1-DG
מחיר ליחידה
0.51
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPU80R4K5P7AKMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1487
DiGi מספר חלק
IPU80R4K5P7AKMA1-DG
מחיר ליחידה
0.24
סוג משאב
Direct
מספר חלק
STD2LN60K3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1831
DiGi מספר חלק
STD2LN60K3-DG
מחיר ליחידה
0.30
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRLR7821PBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
SPU02N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
IRLML2803GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3