מספר מוצר של יצרן:
SPP80P06PHXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPP80P06PHXKSA1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
5150 יחידות חדשות מק originales במלאי
12807507
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPP80P06PHXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 5.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
173 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5033 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
340W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SPP80P06
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SPP80P06PH
SPP80P06PHXKSA1-DG
SPP80P06P G
SP000441774
SPP80P06P H
448-SPP80P06PHXKSA1
SPP80P06P H-DG
SPP80P06P G-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
SPB100N03S2-03 G
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
IRFL4105TR
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
