מספר מוצר של יצרן:
SPP18P06PHKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPP18P06PHKSA1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12807959
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPP18P06PHKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18.7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
860 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
81.1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SPP18P
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SPP18P06PIN-NDR
SP000012300
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN-DG
SPP18P06PIN-DG
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PX
SPP18P06P
SPP18P06PIN
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPP18P06PHXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
711
DiGi מספר חלק
SPP18P06PHXKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.59
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRL1104L
MOSFET N-CH 40V 104A TO262
SPP15N60CFDXKSA1
LOW POWER_LEGACY
SPD03N60S5BTMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3