מספר מוצר של יצרן:
SPP06N80C3XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPP06N80C3XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
5987 יחידות חדשות מק originales במלאי
12806005
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPP06N80C3XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
900mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
41 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
785 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SPP06N80
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SPP06N80C3X
SPP06N80C3IN-DG
SPP06N80C3IN
SP000683154
SPP06N80C3IN-NDR
SPP06N80C3
SP0000683154
SPP06N80C3XTIN-DG
SPP06N80C3XTIN
448-SPP06N80C3XKSA1
SPP06N80C3XKSA1-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SPN02N60S5
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223-4
IRL3302S
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
IRF7820TRPBF
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO