מספר מוצר של יצרן:
SPI21N50C3XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPI21N50C3XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 560V 21A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 560 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
מלאי:
450 יחידות חדשות מק originales במלאי
12808038
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPI21N50C3XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
560 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
95 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
208W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3-1
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
SPI21N50
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SPI21N50C3XK
SP000681012
448-SPI21N50C3XKSA1
SPI21N50C3-DG
SPI21N50C3X
SPI21N50C3XKSA1-DG
SPI21N50C3
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SPD30N06S2-23
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
SI4435DYPBF
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
SPD04P10PLGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
