מספר מוצר של יצרן:
SPD22N08S2L-50
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPD22N08S2L-50-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 75V 25A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 75 V 25A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
12815013
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPD22N08S2L-50 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
75 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
50mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 31µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
850 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
75W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SPD22N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SPD22N08S2L50T
SP000013910
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
1594
DiGi מספר חלק
TK8S06K3L(T6L1,NQ)-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRFR3607TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
17073
DiGi מספר חלק
IRFR3607TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.64
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
DMNH6042SK3Q-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
2143
DiGi מספר חלק
DMNH6042SK3Q-13-DG
מחיר ליחידה
0.27
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7807ZTR
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRFU3412PBF
MOSFET N-CH 100V 48A IPAK
IRF6619TR1
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
