מספר מוצר של יצרן:
SPD08N50C3BTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPD08N50C3BTMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 560 V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
12806498
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPD08N50C3BTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
560 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 350µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
750 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SPD08N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SPD08N50C3XTINTR-DG
SPD08N50C3BTMA1-DG
SPD08N50C3INDKR-DG
SPD08N50C3XT
SPD08N50C3INCT
SPD08N50C3INTR
SPD08N50C3INCT-DG
SPD08N50C3
SPD08N50C3XTINTR
SPD08N50C3XTINCT-DG
SPD08N50C3BTMA1DKR
SPD08N50C3INTR-DG
SPD08N50C3INDKR
SPD08N50C3INCT-NDR
SPD08N50C3BTMA1CT
SPD08N50C3INTR-NDR
SP000307395
SPD08N50C3BTMA1TR
SPD08N50C3XTINCT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPD08N50C3ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
12211
DiGi מספר חלק
SPD08N50C3ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.77
סוג משאב
Direct
מספר חלק
STD11NM50N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STD11NM50N-DG
מחיר ליחידה
0.85
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF830PBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
IRFS4410TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
IRFB4410
MOSFET N-CH 100V 96A TO220AB
