מספר מוצר של יצרן:
SPD02N50C3
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPD02N50C3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 560V 1.8A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 560 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
12807351
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPD02N50C3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
560 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 80µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
190 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SPD02N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SPD02N50C3XT
INFINFSPD02N50C3
SPD02N50C3XT-DG
2156-SPD02N50C3
SP000014476
SPD02N50C3INCT
2156-SPD02N50C3-ITTR-DG
SPD02N50C3INTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD3NK50ZT4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2443
DiGi מספר חלק
STD3NK50ZT4-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
AOD3N50
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
8729
DiGi מספר חלק
AOD3N50-DG
מחיר ליחידה
0.21
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STD4N52K3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STD4N52K3-DG
מחיר ליחידה
0.50
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SPB80N06S2L-06
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
SPD30P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
SPB07N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263-3
