מספר מוצר של יצרן:
SPB80P06P
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPB80P06P-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
מלאי:
12807080
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPB80P06P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 5.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
173 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5033 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
340W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
SPB80P
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000012841
SPB80P06PT
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPB80P06PGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
41
DiGi מספר חלק
SPB80P06PGATMA1-DG
מחיר ליחידה
1.96
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
IRL5602STRR
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
IRFSL3107PBF
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
