מספר מוצר של יצרן:
SPB18P06P
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPB18P06P-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
12816252
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPB18P06P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18.7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
860 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
81.1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
SPB18P
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SPB18P06PT
2156-SPB18P06P-ITTR
INFINFSPB18P06P
SP000012329
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPB18P06PGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2030
DiGi מספר חלק
SPB18P06PGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.44
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IRF7453
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
IRF7780MTRPBF
MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET
