מספר מוצר של יצרן:
SISC29N20DX1SA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SISC29N20DX1SA1-DG
תיאור:
TRANSISTOR P-CH BARE DIE
תיאור מפורט:
מלאי:
12807832
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SISC29N20DX1SA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
-
מספר מוצר בסיסי
SISC29
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000011665
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
2 (1 Year)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
HTSUS
0000.00.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SPB80N08S2L-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
SPP16N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3
SI3443DVTRPBF
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
