מספר מוצר של יצרן:
SIPC10N65C3X1SA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SIPC10N65C3X1SA2-DG
תיאור:
MOSFET
תיאור מפורט:
מלאי:
12807801
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIPC10N65C3X1SA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
-
טכנולוגיה
-
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
-
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
VGS (מקס')
-
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
-
חבילת מכשירים לספקים
-
חבילה / מארז
-
מספר מוצר בסיסי
SIPC10
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001611950
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SPD30N03S2L10GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
SPP80N08S2L-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
